<p>快科技4月4日消息，3D晶体管正在各种类型芯片中铺开，3D DRAM内存也讨论了很多年，但一直没有落地。如今三星公开的路线图上，终于出现了3D DRAM。</p><p>三星的DRAM芯片制造工艺目前处于1b，后续还有1c、1d，都是10nm级别。</p><p><img data-reference="image" src="https://img-s-msn-com.akamaized.net/tenant/amp/entityid/BB1l3emg"></p><p>再往后的10nm以下节点，将分别命名为0a、0b、0c、0d，其中打头的0a工艺预计2027年底-2028年初量产(月产能超过2万块晶圆)，0d则要到2032年。</p><p>就在进入10nm之后，亿博三星将全面开启3D内存时代，首先引入VCT(垂直通道晶体管)，看起来应该是基础的FinFET类型，而非更先进的GAA。</p><p>大约2030-2031年的时候，三星将升级到堆叠DRAM，将多组VCT堆在一起，从而获得更大容量、更高性能，看起来还会引入电容器作为辅助。</p><p><img data-reference="image" src="https://img-s-msn-com.akamaized.net/tenant/amp/entityid/BB1l3bUk"></p>：